gallium arsenide (gaas)中文是什么意思

• 砷化镓

• "gallium arsenide"中文翻译    砷化镓〔一种合成化合物，主要用作半导体材料〕。
• "gaas gallium arsenide" 中文翻译 :    镓砷化物
• "gallium-arsenide (gaas)" 中文翻译 :    砷化钾
• "gallium-arsenide(gaas)" 中文翻译 :    砷化钾
• "gallium arsenide (gaas) injection laser" 中文翻译 :    砷化镓注入雷射
• "gallium arsenide" 中文翻译 :    砷化镓〔一种合成化合物，主要用作半导体材料〕。
• "gallium-arsenide" 中文翻译 :    砷化钾
• "aluminium gallium arsenide algaas" 中文翻译 :    砷化镓铝
• "arsenide gallium monocrystal" 中文翻译 :    砷化镓单晶
• "gallium aluminum arsenide" 中文翻译 :    砷铝化镓; 镓铝砷
• "gallium arsenide electrooptic modulator" 中文翻译 :    砷化镓电光调制器
• "gallium arsenide photodiode" 中文翻译 :    砷化镓光电二极管
• "gallium arsenide avalanche photodiode" 中文翻译 :    砷化镓雪崩光电二极管
• "gallium arsenide chip" 中文翻译 :    砷化镓晶片
• "gallium arsenide detector" 中文翻译 :    砷化镓探测器
• "gallium arsenide diode" 中文翻译 :    砷化镓二极管
• "gallium arsenide fet" 中文翻译 :    砷化镓场效应晶体管
• "gallium arsenide injection laser" 中文翻译 :    砷化镓注入式激光器
• "gallium arsenide laser" 中文翻译 :    砷化镓激光器
• "gallium arsenide laser diode" 中文翻译 :    砷化镓激光二极管
• "gallium arsenide logic" 中文翻译 :    砷化镓逻辑
• "gallium arsenide logic gate" 中文翻译 :    砷化镓逻辑门
• "gallium arsenide phosphide" 中文翻译 :    磷砷化镓
• "gallium arsenide photphide" 中文翻译 :    磷砷化镓
• "gallium arsenide posphate" 中文翻译 :    磷酸镓砷化物,砷化镓磷酸盐

• Gaas / algaas quantum well photodetectors ( qwips ) are new type devices and progressed rapidly in recent 20 years . qwips utilizing intersubband absorption between gallium arsenide ( gaas ) well and aluminum gallium arsenide ( alxga1 _ xas ) barriers were perfected . therefore , the ability to accurately control the band structure and hence the spectral response , as well as both established technology for growing and processing gaas optical devices and commercially available large area vlsi gaas ic ' s , makes gaas / algaas qwips attractive devices for use in very large focal plane arrays ( fpas ) , especially available in the range of long wavelength 8 - 12 urn
  Gaas algaas量子阱红外探测器( qwips )是近二十年来迅速发展起来的一种新型红外探测器，它成功地利用了gaas势阱和al _ xga _ ( 1 - x ) as势垒之间的子带间吸收，使之具有能带结构可精确设计从而获得指定光谱响应的特点，加之成熟的材料生长技术、器件工艺，以及商业上可获得大面积的vlsigaas集成电路，使得gaas algaasqwips尤其适宜制作8 12 m长波范围的大面阵探测器。